關(guān)于老化測試噴淋和冷凝用水要求，為保證在滿足ASTM G151 ,ASTM G154，ASTM G155以及ISO 4892等標準要求的前提下，為避免老化試驗箱中的樣品表面產(chǎn)生水垢。我們綜合水提純領(lǐng)域的專家意見。
首先，我們統(tǒng)一了所有老化試驗箱的用水要求，除了以下三個型號(QUV/Spray，QUV 無噴淋型和Q-FOG CRH)，具體要求見下表
| 試驗箱型號 | 電阻率(Ω-cm) | 導電性(μS/cm) | 總?cè)芙夤腆w (ppm) | 膠態(tài)二氧化硅(ppm) | PH |
| QUV/basic, se 和 cw紫外老化試驗箱 | 常規(guī)水即可 | ||||
| Q-SUN spray 紫外老化試驗箱和 Q-FOG CRH 鹽霧試驗箱 | > 5M | < 0.2 | < 0.1 | < 0.1 | 6-8 |
| 其他型號設(shè)備 | > 200k | < 5 | < 2.5 | not specified | 6-8 |
其次，我們了解到，在帶有水噴淋功能的氙燈試驗箱中，為防止試樣上出現(xiàn)水斑，除了采用去離子水外，還需要一個反滲透系統(tǒng)。
您會發(fā)現(xiàn)有的要求變得更加嚴格了，而另外一些則相對放松了要求。
Q-SUN Xe-3-H過去要求水的電阻率大于500KΩ-cm，研究表明該條件高于必要。
Q-FOG SSP鹽霧試驗箱、Q-FOG CCT鹽霧試驗箱以及Q-SUN Xe-2過去要求水的電阻大于50KΩ，而研究表明，這在防止礦物質(zhì)結(jié)垢堆積方面是不夠的。此外，多數(shù)鹽霧測試標準要求純水電阻>200KΩ-cm。而且達到200KΩ的水純度并不會更難或增加額外的開支，使用反滲透或去離子裝置可很簡便的達到純度要求。
現(xiàn)在，我們建議Q-SUN氙燈試驗箱進行噴淋時采用RO/DI(反滲透/去離子)水
注：Q-lab 為QUV/spray紫外老化試驗箱和帶水噴淋的Q-SUN氙燈試驗箱配備了水再凈化系統(tǒng)，但該系統(tǒng)不能替代RO/DI系統(tǒng)使用。
首先，隨著時間的推移，原有凈水系統(tǒng)在去除水中的膠狀二氧化硅效率變得越來越低。這可能導致快速形成水垢，正如我們常在實驗室中看到的那樣。相比之下，反滲透系統(tǒng)能夠在相對較長的時間內(nèi)保持穩(wěn)定的運行，而不會把二氧化硅回放到水中。
其次，原有處理系統(tǒng)只有在處理礦物質(zhì)含量較低的水時才具有較高的經(jīng)濟性，大部分擁有地表水源的城市都屬于這種情況，比如克利夫蘭。 然而，如果水源來自于地下水，比如亞利桑那，鳳凰城的情況，此類地下水礦物質(zhì)含量比較高，使用反滲透處理方式則擁有更高的經(jīng)濟性，主要注意的是單純采用反滲透并不能滿足大于500KΩ-cm的純度，還需要對水做去離子處理，以滿足純度要求。
值得注意的是，并非所有出現(xiàn)在試樣表面的二氧化硅斑點都是由于水中的雜質(zhì)構(gòu)成的。也有可能是由于材料降解而產(chǎn)生的。除在Q-SUN氙燈試驗箱之外，這些斑點也有可能在自然老化過程中產(chǎn)生。如果您對于老化測試用水純度還有其他更多需要了解信息，歡迎聯(lián)系Q-lab中國代理——翁開爾公司。
